IGBT（IGBT项目）

IGBT是什么东西？

英文单词IGBT是绝缘栅双极晶体管，它的中文意思是绝缘栅双极晶体管。在功能上，IGBT是一个电路交换机。其优点是电压可控，饱和压降低，耐压高。用于电压几十到几百伏，电流几十到几百安培的高压中。而且，IGBT不用机械按钮，它是由电脑控制的。因此，借助IGBT的开关，可以设计出一种电路，通过计算机控制IGBT，将电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或者将各种电变成所需频率的交流电，供负载使用。这种电路统称为转换器。IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。目前，这些模块化产品大多在市场上销售。一般来说，IGBT也指IGBT模块。随着节能环保理念的推广，这类产品在市场上会越来越常见；IGBT是能量转换和传输的核心器件，俗称电力电子器件的“CPU”。作为国家战略性新兴产业，广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源装备等领域。左转|右转展开信息；IGBT方法是垂直功率MOSFET的自然发展，适用于大电流和高电压应用以及快速终端设备。为了实现高击穿电压BVDSS，需要源极-漏极沟道，但是该沟道具有高电阻率，这导致功率MOSFET的高RDS(on)值。IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代的功率MOSFET器件已经大大改善了RDS(on)特性，但是在高电平下的功率传导损耗仍然远远高于IGBT技术。与标准双极性器件相比，更低的压降、转换为低VCE(sat)的能力和IGBT的结构可以支持更高的电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT硅片的结构与功率MOSFET非常相似，主要区别是IGBT增加了P衬底和一个N缓冲层(NPT-非穿通IGBT技术不增加这部分)。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。衬底的应用在管的P和N区域之间产生了J1结。当正的栅偏压使P基区在栅下反转，形成N沟道，同时出现电子流，完全以功率MOSFET的方式产生电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V的范围内，那么J1将被正向偏置，一些空穴将被注入N区，阴极和阳极之间的电阻率将被调节。这种方式减少了功率传导的总损失，并开始第二次电荷流动。最终的结果是半导体层面暂时出现了两种不同的电流拓扑：一种电子电流(MOSFET电流)；单孔电流(双极性)。当负偏置电压施加到栅极或栅极电压低于阈值时关断，沟道被禁止，并且没有空穴注入N区。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流将逐渐降低，因为在换向开始后，N层中仍有少数载流子(少数载流子)。剩余电流(尾波)的减少完全取决于其关闭时的电荷密度，并且该密度与几个因素有关，例如掺杂剂的量和拓扑、层的厚度和温度。少数电子的衰减使集电极电流具有特征尾波波形，集电极电流引起以下问题：功耗增加；交叉传导的问题，尤其是在使用续流二极管的设备中，更加明显。鉴于尾流与少数载流子复合有关，尾流的电流值应该与芯片的温度密切相关，与IC和VCE密切相关的空穴迁移率。因此，根据达到的温度，减少电流对终端设备设计的不良影响是可行的。

什么是IGBT？它的作用是什么？

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT (Bipolar Transistor)和MOS(Insulated Gate Field Effect Transistor)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。IGBT的开关作用是通过施加正向栅极电压形成沟道，为PNP(原NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。相反，施加反向栅极电压以消除沟道，切断基极电流并关闭IGBT。IGBT的驱动方式与MOSFET基本相同，只需要控制输入N沟道MOSFET，因此具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成时，空穴(少数载流子)从P基极注入N层，调制N层的电导率以降低N层的电阻，使得IGBT即使在高电压下也具有低的通态电压。扩展资料：IGBT模块介绍：IGBT是绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的缩写。IGBT是由MOSFET和双极晶体管组成的器件。它的输入是MOSFET，输出是PNP晶体管。它结合了这两种器件的优点，既有MOSFET器件驱动功率低、开关速度快的优点，又有双极器件饱和电压低、容量大的优点。其频率特性介于MOSFET和功率晶体管之间，可以在几十kHz的频率范围内正常工作。它在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，并在高频和中功率应用中占据主导地位。如果在IGBT的栅极和发射极之间加一个驱动正电压，MOSFET就会导通，使得PNP晶体管的集电极和基极处于低阻状态，晶体管就会导通。当IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V时，MOS管截止，切断PNP晶体管的基极电流的供给，晶体管截止。像IGBT MOSFET一样，它也是一个压控器件。在它的栅极和发射极之间加一个十V以上的DC电压，只有uA级的漏电流流过，基本不消耗功率。参考：百度百科- IGBT

igbt是什么意思？

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。扩展资料：IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。