封装和SiP设计有哪些品牌（pcb设计与封装设计的异同）

有哪些知名的SiP封装方案商？

长芯半导体，推出开放式SiP制造平台——M。面向物联网的D.E.Spackage，提供现有成熟的SiP系统解决方案和晶圆库。有了这个，你可以用两种方式定制你的SiP芯片。

有没有可推荐的SiP封装系统设计平台？

直插式封装(SIP)引脚从封装的一侧引出并排列成一条直线。通常，它们是通孔型的，引脚插入印刷电路板的金属孔中。当组装在印刷基板上时，封装是侧立的。这种形式的一种变体是之字形单列包装(ZIP ),其中销仍然从包装的一侧延伸，但是以之字形排列。因此，在给定的长度范围内，针密度得到提高。引脚间距通常为2.54mm，引脚数量从2个到23个不等，大部分是定制产品。包装有不同的形状。有些和ZIP形状一样的包也叫SIP。没有特定类型的SIP包。就芯片的排列而言，SIP可以是多芯片模块(多芯片摩尔；MCM)平面2D封装，3D封装的结构也可以复用，有效减小封装面积；内部焊接技术可以是简单的引线焊接或倒装焊接，但两者也可以混合使用。除了2D和3D封装结构，将元件与多功能基板集成的另一种方式也可以包括在SIP的范围内。这种技术主要是在一个多功能的基板上嵌入不同的元件，也可以看作是SIP的概念，达到功能集成的目的。不同的芯片排列和不同的内部键合技术使得SIP封装类型多样化，可以根据客户或产品的需求进行定制或灵活生产。SIP技术的要素是封装载体和组装过程。前者包括PCB、LTCC和SiliconSubmount(本身可以是IC)。后者包括传统封装技术(引线键合和倒装芯片)和SMT设备。无源器件是SIP的重要组成部分，其中一些可以与载体集成(嵌入式、MCM-D等。)，而其他(高精度、高Q值、高值的电感、电容等。)通过SMT组装在载体上。SIP的主流封装形式是BGA。就目前的技术状况来看，SIP本身并没有特别的工艺或材料。这并不意味着你可以用传统的先进封装技术来掌握SIP技术。由于SIP的工业模式不再是单一的OEM，模块划分和电路设计是其他重要因素。模块划分是指从电子设备中分离出一个功能，便于后续的整机集成和SIP封装。电路设计要考虑模块内部的细节，模块与外部的关系，信号的完整性(延迟，分布，噪声等。).随着模块复杂度和工作频率(时钟频率或载波频率)的增加，系统设计的难度会不断增加，导致产品重复开发，成本上升。除了设计经验，系统性能的数值模拟必须参与设计过程。

简单介绍BGA封装和SIP封装！！！

CSP封装可以使芯片面积与封装面积之比超过1: 1.14，相当接近1: 1的理想情况。绝对尺寸仅为32平方毫米，约为普通BGA的1/3，仅为TSOP存储芯片面积的1/6。这样在同样的体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增加单个内存条的容量。也就是说，与BGA封装相比，CSP封装在同样的空间内可以增加3倍的存储容量。CSP内存不仅体积小，而且更薄。从金属基板到热沉的最有效散热路径仅为0.2mm，大大提高了存储芯片长期运行后的可靠性，显著降低了电路阻抗，大大提高了芯片速度。与BGA和TOSP相比，CSP封装的电气性能和可靠性大大提高。在同样的芯片面积下，CSP能做到的管脚数量明显比TSOP和BGA多很多(TSOP最多304个管脚，BGA限制在600个管脚，CSP原则上能制造1000个管脚)，这样它能支持的I/O端口数量就增加了很多。此外，CSP封装的存储芯片的中心引脚形式有效缩短了信号的传输距离，降低了其衰减，大大提高了芯片的抗干扰和抗噪声性能，这也使得CSP的访问时间比BGA提高了15%-20%。在CSP封装中，存储颗粒通过焊球焊接在PCB上。由于焊点与PCB的接触面积较大，内存芯片在工作时产生的热量很容易传导到PCB并散发出去。然而，在传统的TSOP封装方法中，存储器芯片通过芯片引脚焊接在PCB上，焊点与PCB的接触面积较小，芯片向PCB传热相对困难。CSP可以从背面散热，热效率不错。CSP的热阻为35/W，而TSOP的热阻为40/W，测试结果表明，CSP封装的存储器可使热量传递到PCB的高达88.4%，而TSOP存储器传递到PCB的热量为71.3%。另外，CSP芯片结构紧凑，电路冗余度低，所以也节省了很多不必要的功耗，导致芯片的功耗和工作温度相对较低。目前存储器颗粒厂在制造DDR333和DDR400存储器时采用的是0.175微米制造工艺，良品率相对较低。如果制造工艺提高到0.15甚至0.13微米，良率会大大提高。要达到这种技术水平，CSP封装是必然的。所以CSP封装的高性能内存是大势所趋。