结型场效应管十大品牌排行榜（场效应管型号）

常用结型场效应管的型号有哪些

场效应晶体管的命名方法。同双极晶体管，第三个字母J代表结型场效应晶体管，O代表绝缘栅场效应晶体管。第二个字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；c型硅p沟道。比如3DJ6D是结型N沟道场效应晶体管，3DO6C是绝缘栅N沟道场效应晶体管。FET是一种半导体器件，它通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电性。它不仅具有双极晶体管体积小、重量轻、功耗低、寿命长的优点，还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、易于集成等特点。因此在大规模和超大规模集成电路中得到了广泛的应用。根据结构和工作原理的不同，FET可以分为两大类：3360结型FET和JFET。在两个高掺杂的P区中间，有一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄)，形成两个PN结。在N区两端制作欧姆接触电极，在两个P区上也制作欧姆电极，两个P区连接形成场效应晶体管。从N型区引出的两个电极分别是源极S和漏极D，从两个P型区引出的电极称为栅极G，非常薄的N型区称为导电沟道。

MOS管全世界一共有哪些品牌？

目前MOS管分为几个系列：美系、日系、韩系、台系、国产。美部：IR ST飞兆安森美TI PI英飞凌；日系：东芝瑞萨新电元；韩国部：Kekauk Magnuson郝明威斯顿西南起亚；系： APEC CET国内：吉林华为施蓝威华润华晶东光微深爱半导体。扩展数据mos管是金属氧化物半导体场效应晶体管，或金属绝缘体半导体。MOS晶体管的源漏可以切换，都是P型背栅中形成的N型区。在大多数情况下，两个区域是相同的，即使两端切换，器件的性能也不会受到影响。这种器件被认为是对称的。场效应晶体管(FET)，将输入电压的变化转化为输出电流的变化；FET的增益等于其跨导，跨导定义为输出电流变化与输入电压变化之比。市场上常用的一般是N通道和P通道。详见右图(N沟道耗尽型MOS晶体管)。而公共p沟道是低压mos晶体管。FET通过在绝缘层上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上没有电流流过这个绝缘体，所以场效应管的栅极电流很小。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。因为MOS晶体管更小、更节能，所以在许多应用中已经取代了双极晶体管。首先，一个更简单的器件，——MOS电容3354，可以更好的理解MOS管。这种器件有两个电极，一个是金属，另一个是非本征硅，它们被一层薄薄的二氧化硅隔开。金属极是栅极，半导体端子是背栅或体。它们之间的绝缘氧化层称为栅极电介质。图中所示的器件具有由轻掺杂P型硅制成的背栅。该MOS电容器的电特性可以通过将背栅极接地并将栅极连接到不同的电压来解释。MOS电容的栅极电位为0V。金属栅极和半导体背栅极之间的功函数差异在电介质上产生小电场。在器件中，这个电场使金属极有轻微的正电位，P型硅有负电位。这个电场将硅底层的电子吸引到表面，同时将空穴从表面排斥出去。这个电场太弱，所以载流子浓度的变化很小，对器件整体特性的影响也很小。参考：mos管。百度百科

n沟道结型场效应管 有哪些

场效应晶体管可分为结型场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而结型场效应晶体管又可分为结型和绝缘栅型。结型场效应晶体管(JFET)是以两个PN结命名的，而绝缘栅场效应晶体管(JGFET)是以其栅极与其他电极完全绝缘命名的。根据沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型又分为N沟道和P沟道。你说的那两根管子，3DJ6和3DJ7，是3DJ系列的。如果要替换的话，应该没问题，比如3DJ1，2，3，4，5。给个3DJ3参数你：3 D J 3产品特点：N沟道结场效应晶体管，双向开关传输(低电平)导通电阻约为： 30。该产品采用：多路电平传输开关信号放大调制电路。1.极限参数数值参数名称符号最小值最大值单位最小和最大工作环境温度Tstg -55 125最小和最大贮存温度Tamb -55 175最大耗散功率Ptot 100 mW最高有限温度T( vj) 175 2。电参数(TA=25)测试参数和条件参数名称MIN NOM MAX单位栅源击穿电压VDS=0V，IGS 1 A V(BR)GSS |20| V栅截止电流VDS=0V，VGS=10V IGSS 100 nA栅源截止电压VDS=10V，ID=10A VGS(off)|-9 | V a30b 50漏电流(饱和电流)VDS=10V，VGS=0V C IDSS 80mA A12000B1200

小信号短路正向跨导VDS =10V, ID =10mA,f =1KHz C gfs 12000 μ S 漏源关态电阻VDS =10V , VGS =-9V rds(off) 10 8 Ω 100 50 漏源通态电阻 VGS =0V , I D =1 mA rds(on) 30 Ω A 50 B 30 开启时间VDS =10V , RL =1K Ω,CL =10PF C ton 20 ns A 12.5 B 7.5 关断时间 C toff 5 ns 其他的请到这网上看参数http://www.buyecs.com/basis/20081109894.html 顺便私人赠送个常用的3DJ型N沟道结型场效应管为例解释其测试方法：3DJ型结型场效应管可看作一只NPN型的晶体三极管，栅极G对应基极b，漏极D对应集电极c，源极S对应发射极e。所以只要像测量晶体三极管那样测PN结的正、反向电阻既可。把万用表拨在R*100挡用黑表笔接场效应管其中一个电极，红表笔分别接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是场效应管的栅极。红表笔接的就是漏极或源极。对结型场效应管而言，漏极和源极可以互换。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。如有不懂，直接找我！打字很累！打完收工！拿分来！