绝缘栅场效应管国产十大品牌（绝缘栅增强型场效应管工作原理）

绝缘栅场效应管

所谓绝缘栅，就是这种晶体管的栅极和受控沟道之间隔着一层二氧化硅，输入阻抗极高，几乎绝缘。与结型场效应晶体管相比，输入阻抗更高，更能体现压控器件的优势。从应用上看，结型场效应晶体管多用于前置放大器、恒流源等小信号、小电流的场合。而绝缘栅场效应晶体管多用于大功率大电流驱动场合。目前广泛应用于工业控制、电力电子等领域。

绝缘栅型场效应管好坏及极性

1.判断绝缘栅场效应管(或IGBT)好坏的简单方法。3.确定极性。将万用表拨到r1k档。用万用表测量时，将黑色探针固定在一个电极上，另一个红色探针分别接在另外两个管脚上。如果电阻值都是无穷大，将调用的红色探针固定在这个电极上(原来黑色探针连接的针脚)，另一个探针(黑色探针)其余两极用万用表测量。如果测得的电阻为无穷大，则更换探头后测得的电阻较小。在测得的电阻较小时，判断红色探针连接到漏极(D)；黑色探针连接到信号源。4.判断好坏，将万用表拨到r10k块，用黑色探针连接IGBT的漏极(D ),用红色探针连接IGBT的源极(S)。此时万用表的指针指向无限远。用手指同时触摸栅极(G)和漏极(D)，则IGBT被触发导通，万用表指针向电阻较小的方向摆动，在某个位置可以停止并指示。然后用手指同时触摸源和门。此时，IGBT被阻断，万用表指针回到无穷大。这时，可以判断出IGBT是好的。注：如果进行第二次测量，源极(S)和栅极(G)应短接。任何指针式万用表都可以用来测试IGBT。判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨到r10k档。由于r1k块以下各万用表内部电池电压过低，检测质量时IGBT无法打开，无法判断IGBT好坏。这种方法也可以用来测试P-MOSFET的质量。图IGBT iusulatedgatebipolar晶体管(简称IGBT)是一种高压、高速、大功率器件，集成了BJT高电流密度和MOSFET等电压激励型场控器件的优点。目前，有不同材料和工艺制成的IGBT，但它们都可以被视为一种复合结构，一个MOSFET输入后跟一个双极晶体管放大。IGBT有三个电极(见上图)，分别叫栅极G(也叫控制或栅极)、集电极C(也叫漏极)和发射极E(也叫源极)。从IGBT的以下特性可以看出，它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷，即在高电压大电流工作时，导通电阻大，器件发热严重，输出效率下降。IGBT特色：1。高电流密度。2.高输入阻抗、极低的栅极驱动功率和简单的驱动电路。3.低导通电阻。4.击穿电压高，安全工作面积大，瞬态功率大也不会损坏。5.开关速度快，关断时间短，1kV~1.8kV耐压约1.2us，600V耐压约0.2us，约为GTR的10%。更换ICBT需要注意的几个问题：IGBT管工作在高电压大电流下，容易损坏。据不完全统计，电磁炉故障维修中，IGBT管损坏占80%。更换时要注意以下两点：1。IGBT管的主要参数应该是大的而不是小的。2000W以下的电磁炉可以选择最大电流20A—25A的IGBT管，2000W以上的电磁炉可以选择最大电流40A的IGBT管。2.应该区分IGBT管是否包含阻尼二极管。带阻尼二极管的IGBT管可以代替不带阻尼二极管的IGBT管。如果用不带阻尼二极管的IGBT管代替带阻尼二极管的IGBT管，在新替换的IGBT管的漏极和源极之间要并联一个快速恢复二极管，如图所示。表中列出了一些快恢复二极管的型号和主要参数。

电磁炉常用IGBT管型号及主要参数：最大耐受电压(V)最大电流(A)管内是否含有二极管20N120CND120020、K25T120120025、G40N150040、G40N150D150040、G4PH50UD150040、GT40Q321130040、GT40T101100040。G40T101100040、GT40T301130040、ZQB35JA150035、G30P120N120030、GPQ25101100025、GT15J101100015、GT8Q19119008、GT60M100050、GT50J101100050、GT50J 10410060、GT60M100050

绝缘栅场效应管的

绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。工作原理：图2中衬底为P型半导体，在它的上面是一层SiO2薄膜、在SiO2薄膜上盖一层金属铝，如果在金属铝层和半导体之间加电压UGS，则金属铝与半导体之间产生一个垂直于半导体表面的电场，在这一电场作用下，P型硅表面的多数载流子-空穴受到排斥，使硅片表面产生一层缺乏载流子的薄层。同时在电场作用下，P型半导体中的少数载流子-电子被吸引到半导体的表面，并被空穴所俘获而形成负离子，组成不可移动的空间电荷层（称耗尽层又叫受主离子层）。UGS愈大，电场排斥硅表面层中的空穴愈多，则耗尽层愈宽，且UGS愈大，电场愈强；当UGS 增大到某一栅源电压值VT（叫临界电压或开启电压）时，则电场在排斥半导体表面层的多数载流子-空穴形成耗尽层之后，就会吸引少数载流子-电子，继而在表面层内形成电子的积累，从而使原来为空穴占多数的P型半导体表面形成了N型薄层。由于与P型衬底的导电类型相反，故称为反型层。在反型层下才是负离子组成的耗尽层。这一N型电子层，把原来被PN结高阻层隔开的源区和漏区连接起来，形成导电沟道。主要参数：Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。Up—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。Ut—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。BVDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM—最大耗散功率。是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。