场效应管（简单的场效应管开关电路）

场效应管的作用是什么？

FET 1的效应。FET可用于放大。由于FET放大器的输入阻抗很高，耦合电容的容量可以很小，所以不需要使用电解电容。2.FET的高输入阻抗非常适合阻抗变换。它常用于多级放大器的输入级进行阻抗变换。3.FET可以用作可变电阻。4.场效应管可以方便地用作恒流源。5.场效应晶体管可以用作电子开关。场效应晶体管是场效应晶体管(FET)的缩写。主要有两种类型(结型场效应晶体管——JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)。由多数载流子传导，也称为单极晶体管。属于压控半导体器件。以高输入电阻(107 ~ 1015)、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成、无二次击穿、安全工作区宽等优势，成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。左转|右转一、工作原理FET的工作原理，一言以蔽之就是“流过漏源之间沟道的ID用来控制栅极和沟道之间pn结形成的反向偏置的栅极电压”。更准确地说，ID流过的沟道的宽度，即沟道的横截面积，是由pn结反向偏置的变化来控制的，从而导致耗尽层的膨胀变化。在VGS=0的非饱和区，过渡层的延伸不是很大。根据施加在漏极和源极之间的VDS电场，源区中的一些电子被漏极拉走，即电流ID从漏极流向源极。从栅极延伸到漏极的过渡层使得一部分沟道被阻挡，ID饱和。这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻挡了一部分通道，但电流没有被切断。由于过渡层中没有电子和空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流难以流动。但此时漏源之间的电场实际上是两个过渡层接触漏极和栅极的下部，被漂移电场拉走的高速电子穿过过渡层。因为漂移电场的强度几乎是恒定的，所以会发生ID的饱和现象。其次，VGS向负方向变化，使VGS=VGS(off)，此时过渡层几乎覆盖整个区域。而且VDS的电场大部分施加在过渡层上，把电子拉向漂移方向的电场只有很短的一部分靠近源，使得电流无法流动。1.MOSFET功率开关电路MOSFET又叫金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS fet可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也称为P沟道型。N沟道FET的源极和漏极连接到N型半导体，P沟道FET的源极和漏极连接到P型半导体。场效应晶体管的输出电流由输入电压(或电场)控制。可以认为输入电流很小或者没有输入电流，使得器件具有高输入阻抗。同时，这也是我们称之为FET的原因。当向二极管施加直流电压时(P端为正，N端为负)，二极管导通，电流流过其PN结。这是因为当P型半导体端子具有正电压时，N型半导体中的负电子被吸引到具有正电压的P型半导体端子，而P型半导体端子中的正电子向N型半导体端子移动，从而形成传导电流。同样，当二极管加反向电压时(P端接负极，N端接正极)，则P型半导体端电压为负，正电子聚集在P型半导体端，负电子聚集在N型半导体端，电子不动，PN结无电流流过，二极管关断。当栅极没有电压时，从前面的分析可以看出，没有电流在源极和漏极之间流动，FET处于截止状态

当向N沟道MOSFET的栅极施加正电压时，由于电场的作用，N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引到栅极，但是由于氧化膜的阻挡，电子被集中在两个N沟道之间的P型半导体中(见图7b)，从而形成电流并导通源极和漏极。可以认为是两个N型半导体之间的一条沟，栅压的建立相当于在两者之间搭建了一座桥，桥的大小由栅压决定。2.C-MOSFET(增强型MOSFET)电路结合了增强型P沟道MOSFET和增强型N沟道MOSFET。当输入端为低电平时，P沟道MOSFET导通，输出端与电源正极相连。当输入端为高电平时，N沟道MOSFET导通，输出端与电源地相连。在这个电路中，P沟道MOSFET和N沟道MOSFET总是工作在相反的状态，它们的相位输入和输出是相反的。这样，我们可以获得更大的电流输出。同时，由于漏电流的影响，栅极电压没有达到0V，通常当栅极电压小于1至2V时，MOSFET截止。不同FET的关断电压略有不同。正因为如此，电路不会因为两个管同时导通而短路。二。功能1。FET可用于放大。由于FET放大器的输入阻抗很高，耦合电容的容量可以很小，所以不需要使用电解电容。2.FET的高输入阻抗非常适合阻抗变换。它常用于多级放大器的输入级进行阻抗变换。3.FET可以用作可变电阻。4.FET可以方便地用作恒流源。5.场效应晶体管可以用作电子开关。

场效应管是个什么东西？原理作用都是什么？

1.场效应晶体管(FET)是通过控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件，属于压控半导体器件。具有高输入电阻(107 ~ 1015)、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成等特点。

、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。2.场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。3.作用：1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3.场效应管可以用作可变电阻。4.场效应管可以方便地用作恒流源。5.场效应管可以用作电子开关。扩展资料场效应管与三极管的各自应用特点1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。2.场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。3.场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高。4.场效应管是由多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。5.场效应管在源极金属与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，β值将减小很多。6.场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。7.场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。8.三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。参考资料：百度百科-场效应管

什么是场效应管，作用是什么？

场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。