当前位置:首页 > 推荐 > 十大排行榜 > 正文

其他压电元件有哪些品牌(压电器件)

摘要: IC的品牌有哪些? 品牌介绍NEC从分立器件到电路各个领域,NEC半导体都是品类齐全的厂商之一。台湾省华邦台湾...

IC的品牌有哪些?

品牌介绍NEC从分立器件到电路各个领域,NEC半导体都是品类齐全的厂商之一。台湾省华邦台湾省华邦电子集成电路包括:多媒体、语音、内存、个人电脑、数据可视通信、电话、代工服务等。ISSIMAX系列产品,从模拟电路到数字电路。Analog Devices美国模拟器件公司Analog Devices是世界著名的高精度模拟电路制造商之一,生产线性电路、混合信号电路、各种数据转换和放大电路等。摩托罗拉半导体主要从事数字逻辑器件、模拟和接口器件、通信和电源器件、各种微处理器和存储电路。三星电子三星电子的产品类别众多,在电脑、通讯和消费类产品中占有很大份额。它也是可编程逻辑器件的最大供应商之一。LatticeLattice是ISP(在线可编程)技术的发明者,极大地推动了PLD产品的发展。20世纪80年代和90年代初是其黄金时期,小规模PLD各具特色,类型多样.飞利浦皇家飞利浦电子公司是欧洲最大的电子公司之一,在世界上名列前茅。在半导体领域,位居世界前列。其主要产品有分立器件、逻辑电路、微控制器MCU、标准模拟器件、电源管理ic、SoC解决方案、Nexperia产品、接口电路、电视IC、蓝牙芯片、LCD驱动IC等。NS国家半导体公司是一家半导体芯片开发商,拥有领先的模拟技术。其芯片广泛应用于各种电子设备,如移动电话和室内无绳电话、平板显示器和传统CRT显示器、高速局域网、电视机机顶盒、DVD、CD播放器、信息存储设备以及许多其他电子系统。国家半导体也是功率管和企业网络和光存储技术。主要产品线包括:线性运算放大器IC、ADC/DAC系列、传感器音频电路、通信应用、温度传感器、数字转换器、电源管理器件和专用IC。Linear Lingte公司设计和制造各种高性能模拟集成电路。主要产品有:信号处理器(放大器、比较器、滤波器、电压基准、均方根-DC转换);电路(RS232、RS422/485、多协议、12C和SMBus缓冲器和加速器、SIM接口、CAN收发器);数据转换电路(模数转换器、开关和多路复用器);以及高频光器件(射频功率控制器、低电源电压无线链路、无线基础设施、光通信);电源管理电路(开关调节器、线性调节器、无感DC/DC转换器、电池管理、电源控制器、热插拔、系统监控);硅振荡器和热电偶补偿器;压电致动器驱动器;开关电容元件、热电制冷器控制器。

霍尔元件和压电元件的区别

线性霍尔元件与单极霍尔开关元件的区别霍尔位置传感器是一种封装小、功能多的线性霍尔传感器。该装置能在永磁体或电磁铁的磁场中可靠工作;在一定的工作电压下,其输出电压与磁场强度成正比线性变化。线性霍尔元件将根据磁场的强度触发抛物线冲程。比如电动车的加速手柄,使用的是线性霍尔元件,可以根据磁场的变化,将速度从最大提高到最大。但当磁场强度超过某个区间的最高点时,速度会一直保持在边际。然而,霍尔单极开关电路采用单片机根据磁铁和霍尔之间的距离给出开和关两种信号。靠近大厅时开启,远离大厅时关闭。福特锐界时尚高性能SUV宣传的线性霍尔元件是一种霍尔效应器件,输出随磁场大小不同的电压信号(模拟信号),霍尔开关指的是磁场的有无。输出高电平和低电平信号的单极霍尔位置传感器在一个小封装中集成了多个功能模块。该器件可以在永久磁场或电磁场中可靠工作,特别适合用作单极磁感应开关。该器件内置功率调节器,可满足3.8V至28V的宽工作电压范围。集成内部电源反接保护电路,防止电源极性意外反接损坏传感器。芯片上还集成了霍尔电压发生器、温度补偿电路、比较器、抗噪声施密特触发器和集电极开路输出。型号HEX-302C品牌:HEX(哈尔西)霍尔特性:GaAs GaAs高灵敏度霍尔工作温度:-40C ~ 125C电压:55mV输入阻抗:650输出阻抗:650封装:4针SIPDIP-4包装:500个/袋备注:因斯图克/新原包装/RoHS无铅环保深圳市哈尔西科技专注霍尔元件销售10余年,我公司为AKE霍尔元件主要代理商。目前,我公司与日本合作伙伴共同开发了砷化镓HEX-302C和砷化镓HEX-302B,其灵敏度已达到B、C、d级水平,砷化镓HEX-302C可替代HG-302C,锑化铟HEX-302B可替代HW-302B。经过市场验证,国内知名企业已经开始批量使用。免费打样

霍尔元件和压电元件的区别

压电元件材料一般有几类各类的特点是什么?

据我所知,目前压电元件材料一般有三种,即压电晶体、压电半导体和压电陶瓷。在压电材料中,较早研究的压电晶体是应时晶体,它具有稳定的机械和电学性能,没有内耗。广泛应用于稳频器、扬声器、电话、时钟等领域。此外,酒石酸钾钠、磷酸二氢、钽酸锂、铌酸锂、碘酸锂也是很好的压电晶体材料。压电半导体材料主要包括IIB~VIA化合物如CdS、CdSe、ZnO、ZnS、ZnTe、CdTe,以及GaAs、GaSb、InAs、InS。

b、AIN等Ⅲ~ⅤA族化合物。目前,在微声技术上用得最多的是CdS、CdSe和ZnO。压电陶瓷材料主要有钛酸钡(BaTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)和锆钛酸铅。其中,钛酸钡是第一个被发现可以制成陶瓷的铁电体,钛酸钡单晶的介电常数各向异性显著,沿极化轴方向的介电常数比垂直于极化轴方向小得多,但极化陶瓷的各向异性比单晶小得多,陶瓷的介电常数与晶粒大小和密度有关。钛酸铅是一种典型的钙钛矿结构铁电体,其晶格结构与钛酸钡相似,钛酸铅晶体结构的各向异性大,矫顽电场又高,因此对致密的纯钛酸铅陶瓷很难获得优良的压电性能。钛酸铅陶瓷制备中的改性主要是通过添加物改善其工艺性能,以便获得电阻率较高又不开裂的致密陶瓷体。其中比较成功的途径是加入高价离子置换Pb2+或Ti4+,在晶格中生成A缺位。由于钛酸铅陶瓷介电常数低,机械品质因数高,适于高频和高温下应用。锆钛酸铅压电陶瓷是由锆酸铅和钛酸铅构成的固溶体压电陶瓷材料。锆酸铅(PhZrO3)也是一种具有钙钛矿结构的化合物,但在室温下却是斜方反铁电体。对锆钛酸铅固溶体压电陶瓷的改性主要途径是在化学组成上作适当地变化,即离子置换形成固溶体或添加少量杂质,以获得所要求的电学性能和压电性能。

发表评论

  • 人参与,0条评论