电力半导体器件（中国半导体设备十强）

电力半导体器件与普通半导体器件有什么不一样

功率半导体器件属于电力电子器件，承受的电压和电流比普通半导体器件大得多。说白了，电力电子器件就是普通半导体器件的放大版，区别在于电力电子器件是用来处理能量和输送能量的。而普通的半导体器件用于处理弱电流信号。纯手打，望采纳

电力半导体件IGBT有哪些特点？

IGBT的主要优势如下：1 .IGBT正常工作时，其导通电阻较低，增加了器件的电流容量。2.IGBT的输出电流和跨导比相同尺寸的功率MOSFET大。3.宽的低掺杂漂移区(n区)可以承受很高的电压，因此可以实现具有高耐压的器件。4.IGBT可以通过使用栅极来关闭大的漏极电流。6.IGBT和MOSFET一样，输入电阻大，输入电容小，所以驱动功率低，开关速度高。IGBT也有几个主要缺点：1 .IGBT工作时，其漏区(P区)会向漂移区(n区)注入——个空穴的少数载流子，因此少数载流子电荷会存储在漂移区；当IGBT关断时(栅压降至0)，这些存储的电荷不能立即被清除，因此IGBT的漏极电流不能立即关断，即漏极电流波形有3354的长尾，关断时间较长(10 ~ 50 ms)。2.因此，IGBT的工作频率较低。为了缩短关断时间，可以采用电子辐照来降低少子寿命，但这会导致正向压降的增加。3.IGBT有寄生晶闸管——MOS栅控N-P-N-P晶闸管结构，使器件的最大工作电流受到寄生晶闸管阻断效应的限制(采用阴极短路技术可以适当减小这种负面效应)。

什么是半导体功率器件

电子器件又称功率半导体器件，主要用于电力设备电能转换和控制电路中的大功率电子器件。功率器件通常指几十到几千安培的电流和几百伏或更高的电压。电源器件几乎应用于所有的电子制造行业，包括笔记本、PC、服务器、显示器以及计算机领域的各种外设；移动电话、电话等通信领域的终端和办公设备。扩展数据功率的电子设备正朝着高功率、高频率和集成化的方向发展。80年代初出现的MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到了兆赫级。集成电路技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成果为高频电力电子技术的发展提供了条件，推动了电力电子器件向智能化和高频化发展。80年代开发的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管以及各种组合器件综合了晶闸管、MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点，在性能上有了新的发展。参考来源：百度百科-电力电子器件