MOSFET，电桥驱动器（LCR电桥）

四个mosfet做成的全桥驱动器为什么会烧毁？? mosfet烧毁是什么原因，DS短路为什么会将mosfet烧毁？？

如果四个Mos管组成的整桥完全烧毁，最有可能的就是控制模式泄露，导致其中两个管还没断，另外两个管又导通了。这时候相当于电源通过四管直接短路了，没烧坏才怪。

为什么电机，电桥驱动一般选择mos管，而不用三极管。

1.图腾柱用于mos晶体管驱动，因为MOS晶体管的栅极输入电阻极高，使得驱动电路必须用非常大的电流对栅极电容进行充放电。当脉冲频率很高时，这个电容造成的影响会非常突出，由此产生的栅极电流峰值甚至会超过10A，产生电流。因此，应选择驱动能力强的图腾柱电路来提供栅极信号。如果栅极信号是脉冲，也可以使用三极管。2.mos管是金属氧化物半导体场效应晶体管，或金属绝缘体半导体。MOS晶体管的源漏可以切换，都是P型背栅中形成的N型区。在大多数情况下，两个区域是相同的，即使两端切换，器件的性能也不会受到影响。这种器件被认为是对称的。3.三极管，全称应该是半导体三极管，又称双极晶体管、晶体管，是一种控制电流的半导体器件。它的作用是将微弱的信号放大成幅度较大的电信号，也用作无触点开关。晶体管是半导体的基本元件之一，具有电流放大的功能，是电子电路的核心元件。三极管制作在半导体衬底上，有两个PN结，它们彼此非常接近。两个PN结把整个半导体分成三部分，中间部分是基区，两边是发射极区和集电极区，以PNP和NPN方式排列。

如何选用MOSFET驱动器

一般单片驱动mosfet需要隔离，因为工作电压差比较大，单片驱动电压一般在5V以下。许多mosfet驱动电压需要10V以上才能完全开启。简单地说，您可以使用光耦合器进行隔离。单片PWM连接光耦的输入(带限流电阻)，光耦的输出通过电阻连接mosfet电源或S极。可以参考下图，是我自己做的。调节有刷DC电机转速的基本原理在其他外设中没有显示。负载为普通DC有刷电机，采用PC817光耦隔离单片机与电机电路。1 MCU输出PWM控制PC817的开关，从而间接控制mosfet的开关。改变PWM占空比可以调节电机速度。R1是PC817的限流电阻，R2是因为V比较高，所以要调整到mosfet允许的驱动电压范围。大多数mosfets都在10V以上，几乎可以完全开启。此时损耗相对较小，但一般小于15V。因为很多MOSFET栅极的允许电压要求不高于20V，留几V做设计余量，所以可以理解为高铁的设计速度是每小时400，实际只跑了300个小时。