瓷介/陶瓷/独石质电容器（介电电容器储能）

独石电容、瓷片电容、陶瓷电容有什么区别？

单片电容器、陶瓷片式电容器和陶瓷电容器都是常见的电容器元件。单片电容器相对稳定，温度漂移系数小。其电容值可达1uF，寿命长，等效DC电阻低，价格略贵。陶瓷片状电容器具有良好的高频特性，但其最大电容值只能达到0.1uF陶瓷片状电容器也是陶瓷电容器的一种。陶瓷片式电容器是以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面镀上一层金属膜的陶瓷电容器的一种。电极经高温烧结后制成的电容器通常用于高稳定振荡电路中，正电容温度系数小的电容器用于高稳定振荡电路中作为电路、旁路电容和垫电容。用作环路电容器和衬垫电容器的低频陶瓷电容器限于在低工作频率的电路中进行旁路或DC隔离。或者对稳定性和损耗要求不高的地方(包括高频)，这类电容不适合在脉冲电路中使用，因为它们容易被脉冲电压击穿。陶瓷电容器是以高介电常数电容器陶瓷(钛酸钡-氧化钛)为介质挤压而成的圆管、圆盘或圆片，用烧结浸渗法在陶瓷上镀银作为电极。可分为两类电容正温度系数小的电容器：高频陶瓷介质和低频陶瓷介质。用在高稳定性振荡电路中，低频陶瓷电容，用作环路电容和垫电容，限于在工作频率较低的电路中，或对稳定性和损耗要求不高的场合(包括高频)进行旁路或DC隔离。这种电容器不应该用在脉冲电路中，因为它们很容易被脉冲电压击穿。通过上面的简单介绍，你对这三种电容有所了解吗？可以根据这些来分析选择需要的电容，避免盲目选择影响其功能。而且这三个电容是不能随意更换的。

独石电容、瓷片电容、陶瓷电容有什么区别啊？

当要求不严格时，这些电容可以互换。每种电容器都有自己的特点：单片电容器比较稳定，温漂系数小，电容值可达1uF，寿命长，等效DC电阻小，价格略贵。陶瓷片状电容器高频特性好，但最大电容值只能是0.1uF，陶瓷片状电容器也是陶瓷电容器的一种。

瓷片电容与独石电容区别在哪？

不同的电容有不同的特性。今天，我们来讨论下陶瓷电容器、单片电容器和贴片电容器之间的区别。陶瓷电容器(Ceramiccapacitor):陶瓷电容器是由陶瓷材料制成，在陶瓷表面镀上一层金属膜，再经高温烧结而成的一种电容器，作为电极。通常用于高稳定性振荡电路中，作为电路、旁路电容和垫电容。陶瓷片式电容器分为高频陶瓷和低频陶瓷。具有小的正电容温度系数的电容器在高稳定性振荡电路中用作环路电容器和衬垫电容器。低频陶瓷电容限于工作频率低，或者对稳定性和损耗要求不高(包括高频)的电路中的旁路或DC隔离。这种电容器不适合脉冲电路，因为它们容易被脉冲电压击穿。优点：稳定、绝缘好、耐高压缺点：容量小单片电容器：单片电容器是多层陶瓷电容器的别称。它的英文名是monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor，简称MLCC。根据使用的材料，可以分为三类。一种是带温度补偿的NPO电介质。这种电容器具有最稳定的电气性能，基本不随温度、电压和时间变化。是一种超稳定、低损耗的电容材料，适用于对稳定性和可靠性要求高的高频、超高频、甚高频电路。第二种是高介电常数的X7R介质。因为X7R是强电介质，所以可以制造比NPO电介质更大容量的电容器。这种电容器性能稳定，其独特的性能随着温度、电压、时间的变化变化很小。它属于稳定型电容材料，用于DC隔离、耦合、旁路、滤波电路和可靠性要求高的高频电路。第三种是半导体Y5V电介质。这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容大、标称容量高的大容量电容器产品。但其容量稳定性比X7R差，容量和损耗对温度、电压等测试条件敏感。它主要用于整个电子机器中的振荡、耦合、滤波和光纤通道。特点：良好的温度和频率特性。一般电容随着频率的增加而减小，单片电容减小的比较少，所以电容比较稳定。陶瓷电容器：陶瓷电容器是将高介电常数电容器陶瓷(钛酸钡-氧化钛)挤压成圆管、圆盘或圆盘状作为介质，用烧渗法在陶瓷上镀银作为电极。分为高频瓷和低频瓷。具有小的正电容温度系数的电容器在高稳定性振荡电路中用作环路电容器和衬垫电容器。低频陶瓷电容限于工作频率低，或者对稳定性和损耗要求不高(包括高频)的电路中的旁路或DC隔离。选择合适的电容将大大提高产品性能。